【摘 要】
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非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使其成为Cu/超低k多孔介电薄膜结构的扩散阻挡层优异候选材料。我们以SiH_4(80%Ar稀释)和CH_4作为源气体,在不同的气体流量比R{R=[CH_4]/([CH_4]+[SiH_4])}和沉积温度下,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法制备了非化学计量比的非晶碳化硅薄膜(a-Si_(1-x)C_x:H)。薄膜沉积过程中放电等离子体的各基团行为由等离子体的
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非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使其成为Cu/超低k多孔介电薄膜结构的扩散阻挡层优异候选材料。我们以SiH_4(80%Ar稀释)和CH_4作为源气体,在不同的气体流量比R{R=[CH_4]/([CH_4]+[SiH_4])}和沉积温度下,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法制备了非化学计量比的非晶碳化硅薄膜(a-Si_(1-x)C_x:H)。薄膜沉积过程中放电等离子体的各基团行为由等离子体的发射光谱监测,而薄膜的结构与性能则由傅立叶变换红外光谱、紫外可见光谱等来表征。结果表明
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