过渡金属掺杂ZnO薄膜的结构、透光性和电学性质研究

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【摘要】

：

氧化锌(ZnO)是一种宽禁带的直接带隙半导体材料,它的晶格常数为a=0.32533nm,c=0.52073nm。由于它具有宽禁带(3.27eV)和高激子结合能(约60meV)等优良的性能,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。通过对氧化锌进行过渡金属的掺杂,能改变它的特性。本文利用CS-400型三靶射频磁控溅射仪在不同基片上成功制备了Cu掺杂氧化锌薄膜和Mn掺杂

【作者】

：

徐庆岩

【机构】

：

苏州大学

【发表日期】

：

2009年05期

【关键词】

：

掺杂改性薄膜结构光学性质电学性质过渡金属

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