基于液晶的双折射电光效应和温度特性，通过改变外部电场的方向和外界温度来调控液晶的指向矢，实现对液晶折射率的调控，将液晶引入到一维光子晶体中，可以通过改变外部电场的方向和外界温度，实现对液晶光子晶体的缺陷模的调控。本文利用传输矩阵法数值计算了液晶一维光子晶体的缺陷模，基于缺陷模的调控，实现液晶光子晶体谐振腔频率的可调。首先，数值计算了含一液晶缺陷层的一维光子晶体缺陷模的温度调控研究，先建立了含一液晶缺陷层的一维光子晶体的结构模型，采用传输矩阵法数值计算其缺陷模的透射谱及缺陷模波长随温度变化图，通过对图的分析得到：当入射光的极化方向与液晶长轴方向垂直入射时，随着光子晶体的温度的升高，含一液晶缺陷层的一维光子晶体的缺陷模波长发生了漂移并且向短波方向移动，缺陷模波长变化了387nm。光子晶体的温度灵敏度的最大可为10.9nm/k，液晶缺陷光子晶体的温度灵敏度比普通材料缺陷的光子晶体的要高得多，这对一维光子晶体谐振腔的和一维光子晶体温度传感器的设计提供了理论基础。然后，研究了含一层缺陷的一维液晶光子晶体的缺陷模的温度和电场的调控研究，利用传输矩阵法对含一层缺陷的一维液晶光子晶体的缺陷模和品质因子特性做了详细研究。通过对含一层缺陷的一维液晶光子晶体透射谱的研究可知，温度对缺陷模波长的影响比电场方向对缺陷模波长要弱的多。温度和电场方向对品质因子也有影响。品质因子比普通谐振腔的品质因子要大得多，这对激光器研究有选择作用，当夹角θ增大时，谐振腔的最大品质因子也会增大。利用上述特性，通过对电场和温度的调控，得到想要的谐振频率。最后，研究了含一层缺陷的增益型一维液晶光子晶体的缺陷模温度和电场的调控研究，先建立了含一层缺陷的增益型一维液晶光子晶体的结构模型和ZnO介质的增益模型，数值分析得到：比较第四章的结果，ZnO泵浦前后没有改变光子晶体的能带结构，其缺陷模的位置也没有改变；但缺陷模的透射率发生变化。