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随着大规模集成电路的发展，场效应晶体管的特征尺寸不断按比例缩小，当器件尺寸进入纳米尺寸时，会面临着严重的短沟道效应。围栅Si纳米线器件结构具有最佳的栅控能力和优良的输运特性，被视为可以将MOS器件尺寸缩短到极限尺寸的最理想的器件结构。 为了制备Si纳米线，首先我们采用电子束工艺、trimming工艺和侧墙工艺成功制备出亚100nm尺寸的Sifin条，此外，我们还提出了“trimming+侧墙”工艺进一步改善了传统侧墙工艺制备出的Sifin条的质量。 接着，针对如何制备出尺寸均匀的光滑的纳米线，进行了研究。我们系统研究了Si细线条定义方式、牺牲氧化和Si纳米线的晶向对Si纳米线边缘/宽度粗糙度(LER/LWR)的影响。 最后，针对如何制备出圆形的Si纳米线，进行了研究。我们采用通过牺牲氧化悬空Sifin条的方法制备Si纳米线。系统研究了氧化温度、Si细线条初始形状和氧化时间对Si纳米线截面形状的影响。