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近几年，随着互联网的快速发展，光通信系统对光源的带宽容量提出了更高的要求，10 Gb/s传输带宽的光源已经被大量应用于干线网和城域网，大于25Gb/s传输带宽的光源有望被大量应用于下一代的光通信系统中。电吸收调制分布反馈激光器（Electroabsorption modulated DFB Laser，EML）具有低成本、低功耗、小尺寸、低啁啾、易于升级换代和大规模生产等优点，已经成为光纤通信系统中干线网和城域网光发射模块的首选器件，并将担当起长途高速光纤传输网用光源的主角。本论文围绕高速电吸收调制分布反馈激光器集成光源和器件的产业化展开研究，主要研究成果如下: 1)对高速电吸收调制激光器的关键工艺进行了研究，包括外延生长、器件制备和高频测试等方面，并把各工艺进行了模块化标定，为产业化打下基础; 2)采用超低压SAG能带控制技术，成功研制出高性能10Gb/s高速电吸收调制激光器集成芯片，芯片的典型特性:阈值电流19mA，在调制器零偏置、激光器工作电流100mA下，出光功率大于10mW，边模抑制比大于40dB，调制器在5V反向偏压下的静态消光比大于20dB; 3)电吸收调制激光器消光比的优化。通过分析P型Zn掺杂浓度、量子阱结构与EAM静态消光比的关系，对EAM器件的静态消光比进行了优化。通过分析EAM反向击穿电压与掺杂浓度的联系，研究了反向击穿电压与EAM静态消光比的关系。 4)成功研制出高性能32Gb/s的电吸收调制激光器芯片，器件的典型特性:阈值电流13mA，在调制器零偏置、激光器工作电流100mA下，出光功率大于12mW，边模抑制比大于40 dB，调制器在5V偏压下的消光比大于38dB，器件的3dB带宽达19.7GHz，32Gb/s调制下测得的背靠背眼图清晰张开，动态消光比大于8.01dB。 5)国内首次利用反应离子刻蚀隔离沟的方法，制备应用于WDM-PON接入网带宽为10Gb/s的可调谐DBR激光器。器件的典型性能如下:当增益区电流固定为100mA时，随光栅区电流从0mA增加到50mA，激光器跳动了十三个模式，相邻模式间隔约为0.9nm，波长调谐范围为11nm。13个通道波长对应的3dB带宽介于8与11GHz之间，满足10Gb/s的传输要求。