SOI (Silicon On Insulator)又称作绝缘体上的硅,具有独特的全介质隔离结构,以其高速,高可靠性,低功耗,抗辐射性等诸多优点被广泛应用于高压集成电路(HVIC:High Voltage Integrated Circuit)中。作为SOI HVIC中的核心器件,SOI横向高压器件由于纵向击穿电压较低而限制了其在高压功率集成电路中的应用。提高纵向耐压是一个重要的研究方向。TCAD (Technology Computer Aided Design)是一种半导体工艺模拟和器件模拟计算机辅助设计软件,可用于工艺、器件、电路的设计和验证等,是Ic设计和制造中不可或缺的工具。本文利用线性变掺杂技术设计了一种薄层SOI高压器件,所采用的SOl材料的顶层薄硅层的厚度为1.5μm,介质隔离层的厚度为3μm。从基本的PN结击穿原理出发,再到SOI击穿原理以及SOI RESURF (REduce the SURface Field)原理,通过数学推导,深入了解了器件的击穿特性及其耐压特点。所设计的SOI横向高压器件的漂移区采用线性变掺杂技术,从器件源区到漏区的掺杂浓度呈线性增加。本文介绍了两种数值仿真软件,分别为TSuprem-4和Medici。TSuprem-4主要是用于硅基集成电路和分立器件的制造工艺仿真。所涉及到的工艺主要包括：氧化工艺、光刻工艺、注入工艺、刻蚀工艺。Medici对势能场和载流子的二维分布建模,通过泊松方程和电流连续性方程获取特定偏置下的电学特性,求解并验证所设计器件的参数和性能,利用Medici仿真软件,求得了器件的关态击穿电压为490V,开态击穿电压300V,和阈值电压1.5V。