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如今，显示技术已渗透到生活的方方面面。当今主流的显示技术为有源平板显示(AMFPD)技术。多晶硅具有高载流子迁移率，基于多晶硅制作的薄膜晶体管(TFT)驱动能力强，易于与周边驱动电路集成，因而非常适合充当有源液晶显示(AMLCD)和有机发光二极管显示(AMOLED)的像素驱动开关。多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFT)的特性是影响像素驱动电路性能的重要因素。而像素驱动电路的输出特性直接决定了有源显示的效果和质量，因此研究多晶硅TFT像素驱动电路的特性对于后续的电路开发具有十分重要的意义。 多晶硅材料由许多小晶粒组成，晶粒之间存在晶粒间界（简称晶界）。晶界内部分布有较多的缺陷态陷阱，陷阱俘获载流子而产生晶界势垒，故晶界中的缺陷态分布对器件性能产生重要影响。同样，晶界位置和晶粒尺寸很大程度上决定了多晶硅TFT器件的电学性能。而缺陷态密度和晶界在沟道中的分布主要取决于器件的制备工艺，为了在现有的工艺条件下提高器件的驱动能力，需要采用新的器件结构。本文提出了两种双栅结构的TFT:同步双栅和异步双栅。同步双栅TFT由于泄漏电流小，开关特性好，适合在像素电路中充当开关管;异步双栅TFT由于驱动能力强，阈值电压可控，可应用在像素电路中驱动有机发光二极管(OLED)发光。 典型的像素驱动电路由若干TFT和若干电容组成，由此组成各种类型的像素电路，如2T1C，4T1C，5T2C等。像素电路的瞬态特性和静态输出特性取决于TFT的性能和电容的大小。器件的参数（如TFT的宽长比）会影响像素电路的显示性能（如灰度，响应速度等）。本文在模拟各种典型的像素电路的基础上，给出了各个器件参数的选取原则。最后结合双栅器件的特性，提出了一种改进的像素驱动电路及并对其性能进行了模拟。 本文的主要创新点在于:在多晶硅TFT器件模拟结果的基础上，进一步对由多晶硅TFT组成的像素电路进行模拟研究，并得出影响像素电路输出特性的因素从而有助于指导实际的电路开发。此外，本文提出了一种由同步双栅和异步双栅TFT组成的像素驱动电路结构，并对其性能进行了模拟研究，揭示了该电路相对传统像素电路的优点。