【摘 要】
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随着集成电路的飞速发展，布线密度的急剧增加，互连线将要承载高达107A/cm2的电流密度。导致铜互连线上的RC延迟增大，散热能力减弱，电迁移现象严重，大大影响了芯片的可靠性。由于碳纳米管具备高达1010A/cm2的超高电流密度承载能力，优良的热传导特性以及很高的抗电迁移稳定特性。被认为在未来集成电路领域中，最有可能替代铜互连线的新型材料。然而碳纳米管的生长模式使得其末端封闭，形成了很高的固有电阻率
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随着集成电路的飞速发展，布线密度的急剧增加，互连线将要承载高达107A/cm2的电流密度。导致铜互连线上的RC延迟增大，散热能力减弱，电迁移现象严重，大大影响了芯片的可靠性。由于碳纳米管具备高达1010A/cm2的超高电流密度承载能力，优良的热传导特性以及很高的抗电迁移稳定特性。被认为在未来集成电路领域中，最有可能替代铜互连线的新型材料。然而碳纳米管的生长模式使得其末端封闭，形成了很高的固有电阻率以及较大的电极间接触电阻等缺陷。同时，碳纳米管在通孔中的生长机理也不是十分的明确。这些问题都在很大程度上
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