镓为稀散元素之一，近几年来随着电子工业的发展，镓的应用日趋广泛。镓常被用于半导体掺杂剂及制备半导体化合物，还可用于制作高温温度计及用于真空系统液封。由于镓的广泛应用且镓为人体非必需元素，镓的分析在地质及环境样品、工业分析中显得非常重要。本文基于不同的荧光反应建立了几种测定镓的荧光光度新方法，并应用于实际样品的测定，结果满意。本论文主要由以下四个部分组成：第一部分：文献综述 光度分析法由于其操作方便、方法简单、灵敏度高等特点广泛用于许多元素及化合物的痕量分析。近几年来利用光度法基于镓与试剂配位反应测定镓发展迅速。这一部分主要对从1990年到2001年早期光度分析法测定镓的文献进行了系统评述，对近年来镓的光度法包括分光光度法、荧光光度法分析及其应用进行了简要综述。共引用文献103篇。第二部分：β—环糊精存在下镓—酸性铬蓝K荧光光度法研究及其分析应用 首次基于镓在β—环糊精存在下，与酸性铬蓝K形成具有强荧光的配合物提出了一个测定镓的新荧光光度分析法。该法利用β—环糊精—镓—酸性铬蓝K配合物具有强荧光进行痕量镓的荧光光度分析。在pH=5.00乙酸—乙酸钠缓冲溶液中，配合物最大激发波长和发射波长分别为565nm和 ６０９ｕｒｎ，确立了酸性铬蓝 Ｋ和日一环糊精的最佳浓度及用量。利用该法测定嫁的检测限为 １．ＳＵｇ／Ｌ，当嫁含量在 ０～１４０Ｕｇ／Ｌ时，体系荧光强度与嫁浓度呈线性关系（Ｒ＝＝０．９９９３４，Ｎ－７人对含１４．ＯＵｇ／Ｌ及５５．７Ｕｇ／Ｌ的嫁样进行测定，回收率分别为１０Ｏ．１９％与１０ｏ刀２％，相对标准偏差为０．８１％与 ０．１４％。大多数常见离子对该法无明显干扰。与同类方法相比，该法具有较高灵敏度和选择性，并应用本法测定了镍合金中的镰，结果令人满意。第三部分：镰一铬蓝黑Ｒ—ＯＰ体系荧光光度研究及其分析应用 在表面活性剂存在下，首次利用铬蓝黑Ｒ进行稼的荧光光度分析。在Ｏｐ存在下，ｐＨ－３刀０乙酸一乙酸氨缓冲溶液中，镜与铬蓝黑Ｒ形成具有荧光的桃红色配合物，基于此建立了测定痕量镰的荧光分析法。配合物最大激发波长与发射波长分别为５８０ｕｒｎ与６３４ｕｒｎ，并就酸度、试剂用量及表面活性剂ＯＰ对荧光测定的影响作了深入研究。当嫁含量在１．６Ｘ１０”’～１．２ｘ１０”’ｍｏｌ／Ｌ山．１５～８３６．６４ｕ旮Ｌ）时，符合郎伯一比尔定律。在此基础上，利用摩尔比法测定了配合物组成，发现在所形成的配合物中，嫁：配体＝１：２，并研究了干扰离于对该法测定的影响，常见离子不干扰测定。该法具有线性范围宽、条件易于控制等优点，利用本法测定了铝合金中的豫，结果满意。第四部分：镜一钙梭酸指示剂一ＯＰ体系荧光光度研究及其分析应用 建立了痕量镜荧光测定的新方法即嫁一钙竣酸指示剂一ＯＰ体系。在ｐＨ＝３刀０乙酸一乙酸氨缓冲溶液中，所形成的配合物最大激发波长与发射波长分别为５８４ｕｒｎ与６２０ｕｒｎ。同时考察了阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂及非离子表面活性剂对该荧光体系的增敏作用，并讨论了试剂与表面活性剂加入量对体系荧光强度的影响。线性范围为 ０．７～２７８．ｇｎｇ／ｆｆｉｌ，回归系数为 ０．９９９ ｐｏ叫＊ 大多数常见离子不干扰测定，检测限为２．ｓｎｇ／ｍｌ。对含７０ｎｇ／ｍｌｔｇ样进行测定，其相对标准偏差为 １．９％。用于含硅合金中痕量镜的测定，采用醋酸丁酯革取分离消除超过最大限量的其它离子干扰，测定结果满意。