本文先对半导体团簇GaAs的研究现状、存在问题等作了详细的介绍，然后采用全势能线性糕模轨道分子动力学(FP-LMTO-MD)方法系统研究了Ga8-n Asn(n=0-8)团簇。FP-LMTO-MD方法采用了全势能，计算精度比较高，是目前计算团簇(包括固体和固体表面)几何结构和电子结构的最好方法之一。 在团簇科学中，半导体团簇越来越受到人们的重视。其中Si和Ge团簇的许多成果已经得到了公认，并且团簇的原子数目已近百个。GaAs团簇在微电子和光电领域中有重要作用，但目前的研究主要针对原子数目比较少GaAs团簇。得到了一些基态结构，还对结构畸变的原因和HOMO-LUMO之间的能隙等进行了探讨。对原子数目较大的GaAs团簇基本上没人研究过，就是小GaAs团簇，其基态结构也存在着较大分歧。这些研究大都集中在GanAsn团簇(Ga原子数目和As原子数相等)上，对Ga和As原子数不等的团簇研究还非常少。 为了进一步了解GaAs团簇结构演化规律，我们用FP-LMTO-MD方法系统研究了Ga8-n Asn(n=O-8)团簇。我们得到了大量的稳定结构，发现大多数Ga8-n Asn(n=O-8)团簇的基态结构是立方结构，但Ga4As4和Ga5As3团簇的基态结构发生严重的畸变，和立方结构相差很大。对Gah8-n Asn(n=0-8)离子团簇研究发现，有的离子团簇基态结构会发生重大畸变，完全不同于其中性团簇；还有部分离子团簇，虽然几何结构没发生畸变，但它们的能量顺序会发生翻转。对这些团簇基态结构的HOMO-LUMO之间的能隙计算，发现它们几乎都大于1.0eV。而且我们认为HOMO-LUMO能隙基本上和团簇的成分没有任何关联。我们还计算了团簇结合能的二级偏差，认为Ga7As1、Ga6As2、Ga4As4和Ga1As7团簇的基态结构应该具有更高的稳定性。