二维过渡金属硫属化合物（TMDs）纳米材料因其独特的性质促进了能源和探测领域的研究。一方面,TMDs作为常规电催化剂金属铂的替代品在电化学析氢（HER）领域为降低成本带来了很大的希望,以TMDs作为电催化剂的研究在近几年得到一个突飞猛进的发展,如何提高电催化剂的催化活性是当前亟待解决的重要问题。另一方面,TMDs在光电探测器领域的应用也越发广泛,构建高性能光电探测器是广大科研人员的希望和目标。本文主要研究了TMDs纳米材料分别在电化学析氢和光电探测器两个领域的特性,主要科研成果如下:（1）首次成功实现了在导电基底FTO上制备出ZnSe/MoSe₂复合纳米管阵列,作为高效且无需使用粘结剂的HER电催化剂。这种复合的纳米管阵列与纯的MoSe₂纳米球作为电催化剂相比,显示出具有更小的Tafel斜率（73mV/decade）和更低的起始点位（68 mV）,表明ZnSe/MoSe₂复合纳米管阵列具备优越的催化能力。这种电催化剂使得在析氢过程除了避免使用粘结剂,层间距得到扩展的MoSe₂和ZnSe异质界面的能级调制有助于电子在两种半导体之间的快速转移,从而提高了电催化剂-电解质界面的电催化活性,大大改善了HER性能。这项工作为通过设计半导体异质结开发高性能的HER的电催化剂开辟了一种新的途径。（2）利用溶液法制备了基于二维材料WS₂纳米片的高灵敏高响应速度的光电探测器。由于独特的合成方法,制备的WS₂纳米片具有层层堆叠特性,增强了光的吸收,并以此构建成基于WS₂的二维-三维（2D-3D）可兼容的光电探测器。该器件在光照条件下显示出了优越的光电特性,具有²×10¹² Jones(Jones=cm·Hz^1/2W^-1)高的探测率,响应速度高达1.973/7.236μs,最重要的是该探测器在0 V偏压光功率密度为1.55μW cm^-2的条件下达到了293.6%的超高的外部量子效率。器件性能优于当前所报道的WS₂光电探测器,简单的材料的制备方法和器件制备工艺为高性能光电探测器的应用提供了广阔的前景。以上的研究结果表明,通过改变TMDs纳米材料的结构和形貌可以实现材料的不同特性,进而实现在不同领域中的应用。