有机场效应晶体管存储器具有材料来源广、工艺简单、可低温常温制备、溶液制备、非破坏性读取、柔性集成等众多优点,广泛受到科研人员的关注。本文介绍了有机场效应晶体管存储器的发展历程、分类以及存储机理,设计并制备了可调节隧穿层势垒的浮栅型有机场效应晶体管(OFET)存储器,并对其存储机理进行了解释。文中将Breath-figure法和旋涂法相结合,利用水的乳化性质,让超声分散的小水滴在溶液中均匀分布,充当多孔模板;旋涂法制备薄膜保证了薄膜的厚度和表面粗糙度可控。为了探究多孔结构在OFET存储器中的功能,我们分别使用薄的/厚的无孔结构和低密度/高密度多孔结构聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜充当隧穿层制备出四个浮栅型OFET存储器;多孔结构和无孔结构PMMA隧穿层存储器相比较,多孔结构的PMMA隧穿层能够对浮栅型OFET存储器器件的存储性能产生积极影响,促进存储器读写擦性能的改善。此外,随着PMMA薄膜孔密度的增加,存储器的性能也同步增加。通过研究多孔结构PMMA薄膜原子力显微镜(AFM)图片和高密度多孔结构PMMA薄膜上生长的并五苯薄膜AFM发现,并五苯在热蒸发过程中有部分晶粒渗入PMMA薄膜孔洞中,使PMMA隧穿层和并五苯活性层之间的有效隧穿面积大大增加,同时使PMMA薄膜和并五苯薄膜之间的电子转移路径增多,促进存储器中浮栅粒子对电子的捕获和释放。因此,文中制备的多孔结构PMMA隧穿层具有两个特性,孔结构部位具有较低的隧穿势垒,有利于电荷的捕获和释放;无孔部位薄膜较厚,具有较高电绝缘性。