随着SiC器件广泛而深入的研究，光控碳化硅器件也渐渐地引起人们的研究兴趣。由于禁带宽，SiC光开关只能受控于紫外光源而非常用的可见和红外光源。从实际应用出发，利用SiCGe能隙可在窄于碳化硅能隙的范围内适当剪裁的特点，根据在SiC达林顿晶体管中采用SiCGe／SiC异质结实现单片集成光控达林顿功率开关的设计构想，围绕该新型光控器件的开发，本论文主要从器件结构的设计、SiCGe／SiC异质结的实现及其特性等方面进行了初步的研究。主要结果如下： 1．利用二维数值模拟器MEDICI，在首先完成了对新型器件设计构想的可行性验证之后，从器件制造的可行性出发，提出了几种改进的器件结构，改SiCGe／SiC异质结达林顿晶体管设计为SiCGe／SiC异质结光电二极管与SiC达林顿晶体管单片集成，大大简化了器件制造工艺。 2．完成了对改进型SiC光控器件结构参数的优化设计和器件特性的模拟仿真，证明了这种SiC光控器件具有明显的光控开关特性，并可通过合金组分的调控实现常用近红外光源的有效控制。 3．成功地研制出分别用于在SiC衬底上生长SiCGe和p-SiCGe薄膜的两套水平式热壁CVD生长系统。为了提高外延薄膜的均匀性，设计过程中，采用有限元分析法，通过对电磁感应、热传导和质量输运等多种场的计算，确定了反应室中复杂的温度分布和气流分布，创新地完成了对系统加热组件的优化设计。 4．进行了在SiC衬底上异质外延SiCGe和p-SiCGe薄膜的工艺探索。采用硅烷（SiH₄）、丙烷（C₃H₈）、锗烷（GeH₄）、乙硼烷（B₂H₆）以及载气H₂为源气，生长了SiCGe多晶薄膜并实现了p型掺杂。SiCGe薄膜不是SiC和SiGe的简单混合，而是一种具有多相结构特征的三元合金。实验中发现了一种与SiCGe新材料有关的合金相，其2θ=29.6±0.2°的衍射峰在标准ASTM卡片中尚未收录。其生长模式属于两相共存的2D层状+3D岛状混合的S-K生长模式。SiCGe薄膜对可见和近红外光具有较强的吸收，吸收边随组分调整而变化。