本文的工作分为两部分：场限环(FLR)终端结构和偏移场板(FP)终端结构的研究。首先详细介绍和比较了目前存在的三种场限环终端设计方法。分步穷举法过于繁琐，耗费大量计算时间，没有多少实用价值。局部电离积分法的优点在于精确度高，但比较复杂，计算时间长，作者自己还编制了一套算法以加快收敛，对仿真软件也有特殊的要求，所以此方法的使用范围受到了限制。我们的方法优点在于简单实用，计算量小，通过对一个简单单场限环模型做击穿特性仿真得到BV-distance曲线，我们就可以查找得到完整的场限环终端结构。此方法适用于常用的器件仿真软件，对于软件没有什么特殊要求。仿真结果与试验数据表明，我们的方法在中压范围内可以取得与局部电离积分法相差无几的精确度。 界面电荷对场限环终端结构的击穿电压影响很大，严重的甚至可以使远离主结的场限环失去作用。为了使这种结构适用于实际生产，我们又研究了场限环加场板的复合结构——偏移场板结构的设计方法。用我们的方法设计的偏移场板结构不仅比场限环结构提高了击穿电压，而且部分地屏蔽了界面电荷对器件击穿电压的影响，提高了器件工作性能的稳定性。