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本文采用等通道角挤压(ECAP)对挤压态纯镁在150°C至350°C温度范围内进行了不同道次的塑性变形。采用光学显微镜和透射电子显微镜研究了挤压态纯镁ECAP变形前后的显微组织变化,采用X射线衍射和EBSD(电子背散射)对ECAP变形前后纯镁的织构演变进行了分析,采用拉伸试验机对ECAP变形前后纯镁的室温拉伸性能进行了测试,采用机械动态分析仪(DMA-Q800)测试了ECAP变形前后纯镁的阻尼性能。挤压态纯镁晶粒度约为50μm,经低温ECAP变形后纯镁晶粒可细化到3μm,其晶界极其不规则,存在大量具有高密度位错的亚晶组织。随着ECAP变形温度的升高,再结晶越来越充分,各道次晶粒变化不明显,但晶粒逐渐趋于等轴,位错密度逐步降低。由于受到晶粒度和织构双重因素的影响,ECAP变形后纯镁的屈服强度随着变形道次和变形温度的升高逐渐降低,而延伸率逐步提高。250°C下ECAP变形6道次纯镁的晶粒由于出现了双峰分布,其延伸率达到28%,而且强度也没有损失。对纯镁的阻尼-应变谱研究表明,挤压态纯镁经ECAP后,低应变下阻尼升高,而高应变下阻尼降低;随着ECAP变形道次的增加,与应变振幅无关的阻尼逐渐升高,临界脱钉应变降低;随退火温度升高和时间的延长,与应变振幅无关的阻尼先降低后又升高。晶粒尺寸、晶界状态、溶质原子分布以及织构均对纯镁的阻尼性能有影响,凡是能提高位错密度和长度、增加位错可动性的方法都可以提高纯镁的阻尼性能。对纯镁与应变振幅相关的阻尼进行G-L曲线拟合,发现其偏离了直线,说明可能还有阻尼的其它影响因素,如孪晶、晶界滑移等。对纯镁的阻尼-温度谱研究发现,在70~250°C温度区间ECAP变形后纯镁的阻尼性能要比挤压态的高出很多。各种缺陷对材料的高温阻尼性能均有贡献。本文主要发现3个阻尼峰:低温峰P1经退火后变得明显,其激活能为93kJ/mol,为溶质原子拖曳位错在基面滑移的阻尼峰。P2阻尼峰与晶界状态紧密相关,其激活能介于晶界扩散激活能和体扩散激活能之间,为晶界滑移峰;P3与纯镁内部存储的变形能有关,为再结晶峰。