氧化锌是一种宽能带隙半导体材料，在室温下，其禁带宽度达到3.37 eV，具有禁带宽、激子束缚能高、无毒、原料易得、成本低等优良特性，在光电器件、透明导电薄膜、气敏传感器、表面声波器件等方面有着广泛的应用。　　 采用水热法在Si衬底上制备ZnO纳米棒阵列，通过改变Na+/Be2+掺杂实现了ZnO纳米棒的可控性生长，并对其光电性能进行了研究。随着Na+/ Be2+掺杂浓度的增加，ZnO纳米棒均变粗变短，而Be2+掺杂浓度为7.5％时得不到均匀的纳米棒阵列。其中，Na+掺杂后样品具有很好的光学性能，晶体质量高，缺陷少，NaCl掺杂量为0.0409～0.1227g时样品为p型，掺杂量为0.0818 g时载流子浓度达1.7×1017 cm-3。Be2+掺杂后样品UV峰的位置蓝移，可从375 nm蓝移到351 nm，这丰富了ZnO的能带工程。　　 采用热分解法成功制备Li掺杂的ZnO超细纳米棒，纳米棒的直径为4～7 nm，长度为14～15nm，Li掺杂浓度为50％时所制备的ZnO纳米棒最为均匀，Li掺杂会在ZnO量子点中引入大量晶格缺陷，使ZnO量子点的可见光区的发光峰更明显。　　 采用溶剂热法制备ZnO纳米锥、纳米片和纳米颗粒。通过溶剂前处理ZnO的形貌由纳米锥或纳米片转化为纳米颗粒。该合成方法简单，得到的ZnO晶体质量高，形貌可控。ZnO纳米锥、纳米片和纳米颗粒均显示了较好的光学性能。