离子束溅射法制备C-N薄膜的研究

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【摘要】

：

本文对离子源的溅射特性进行了研究，采用离子束溅射法制备了TiN_y单层薄膜和CN_x／TiN_y多层薄膜，探索该法制备CN_x薄膜的最佳工艺参数，并利用TiN_y薄膜为衬底以促进CN_x薄膜的生长。溅射特性研究结果表明：屏极电压和溅射气压对离子束均匀性和束流密度影响显著；加速电压对两者影响较小；石墨靶的最佳入射角为50°。研究了实验参数对TiN_y薄膜结晶取向的影响。结果表明：在能

【作者】

：

柳翠

【机构】

：

燕山大学

【发表日期】

：

2002年12期

【关键词】

：

碳氮化合物 C3N4 离子束溅射 CN_x／TiN_y薄膜晶体结构蠕虫状价键状态

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