GaN作为第三代半导体材料,由于其优异的性能,受到人们的广泛关注。尤其是蓝光波段的发光二极管、激光器等,已经发展的相当成熟。因此,紫外波段的光电器件成了GaN基半导体材料研究的下一个热门方向。此外,为了应对越来越复杂的应用场景,传统的衬底上的外延生长不能满足越来越多的需求,衬底转移技术应运而生,为可穿戴智能芯片的发展提供了新的思路。本文主要研究近紫外波段的硅衬底氮化镓基通信芯片的材料生长和制备过程,研究近紫外通信系统中的各个环节,包括光源、信道和光接收器并通过仿真模拟光在光波导中的传输损耗。研究光刻工艺、刻蚀工艺、电子束蒸发工艺和退火工艺等制备流程中的主要工艺,并通过机械转移法将制备完成的近紫外通信芯片由硅衬底转移至玻璃衬底。之后,使用光学显微镜、场发射扫描电镜和原子力显微镜等设备对制备完成的芯片进行形貌分析,验证芯片的加工质量。通过测量器件的光电流、电致发光光谱和探测谱等表征芯片的光电性能,发现量子阱发光二极管在发光的同时也能探测光这一现象。最后通过信号发生器、示波器等设备测试芯片的通信性能和通信质量。