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碳纳米管阵列(ACNTs)因其独特的物理、化学、机械、电学等特性,在场发射显示器件、纳米电子器件、储氢、复合材料、化学传感器等方面具有诱人的应用前景。但由于ACNTs的粗收率很低,制备成本较高,所以其应用研究受到了很大的限制。本文采用化学气相沉积(CVD)法制备ACNTs,利用扫描电镜(SEM)表征方法,考察了碳源、反应温度、覆网目数对CVD反应产物形貌的影响。实验结果表明,以环己烷为碳源,在850℃条件下制备的ACNTs产物形貌较为整齐规整,生长准直,取向性良好,厚度均匀,