【摘 要】
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该文利用热丝CVD装置分别在硅和石墨衬底上制备掺硼金刚石涂层电极.详细研究了制备CVD金刚石薄膜的工艺条件、衬底材料及掺杂浓度对薄膜的结构、形貌及其电学、电化学性能的
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该文利用热丝CVD装置分别在硅和石墨衬底上制备掺硼金刚石涂层电极.详细研究了制备CVD金刚石薄膜的工艺条件、衬底材料及掺杂浓度对薄膜的结构、形貌及其电学、电化学性能的影响.用制备的掺硼金刚石涂层电极处理印染废水,取得了显著的效果.通过降低生长气压及适当提高C/H比例,利用常规热丝CVD装置在表面经过研磨处理的硅衬底上沉积出表面光滑平整、平均晶粒度在10nm以下的高质量纳米金刚石薄膜.在多晶金刚石薄膜之上生长了薄层的纳米金刚石薄膜,得到纳米/多晶金刚石复合薄膜.该薄膜晶粒细小,表面平整致密;其电阻率和金刚石成分均介于多晶和纳米金刚石薄膜之间;表面平整度比多晶金刚石薄膜有所提高.以石墨衬底掺硼金刚石涂层电极作为阳极,在对印染废水进行处理的过程中发现,金刚石薄膜与石墨衬底之间的附着力不够高,电极表面有不同程度的剥落现象.建议可从三个方面进行改进:改进对衬底的预处理、增加适当的过渡层及调整氢等离子体轰击时的参数,以加强金刚石薄膜在石墨衬底上的附着力.
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