随着半导体技术的飞速发展,对集成电路制造所需溅射靶材的要求进一步提高,由于铜及其合金具有电阻率低、导电性好、RC延迟低、冷却容易等优势,因此铜布线已成为集成电路的重要发展趋势。高纯铜溅射靶材的显微组织与织构对其溅射形成沉积薄膜的厚度及均匀性有显著的影响,但目前国内对高纯铜靶材制备技术的研究比较匮乏,尤其是对高纯铜旋转溅射靶材的研究不足。基于此,本文系统研究了挤压温度对高纯铜微观组织及织构的影响,目的在于为高纯铜旋转溅射靶材制备工艺的制定及优化提供理论依据。本文利用光学显微镜（OM）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、背散射电子显微镜（EBSD）等检测方法对不同挤压温度下高纯铜挤压棒材及压余变形区的组织、织构、动态再结晶、特殊晶界分布等方面进行分析,得出主要结论如下所示:（1）挤压温度对挤压棒晶粒尺寸及组织均匀性有很大影响,晶粒尺寸随挤压温度升高不断增大,挤压温度在500℃～550℃时组织均匀性最佳且平均晶粒尺寸低于30μm。（2）不同取向晶粒的变形行为不同,导致其动态再结晶进程不一致。低温挤压时变形区微观组织不均匀,升高变形温度可有效提高其均匀性,但晶粒尺寸随挤压温度升高而增大,当挤压温度为500℃～550℃,变形量为78%时,微观组织均匀性提升至较高水平且晶粒尺寸细小。（3）动态再结晶对挤压棒的组织、织构、力学性能及物理性能等多方面都有重要影响,挤压温度为300℃时晶格畸变严重位置发生动态再结晶,挤压温度为450℃时发生完全再结晶,挤压温度为750℃时发生晶粒异常长大。（4）挤压温度对高纯铜挤压织构演变具有显著影响,低于300℃挤压时主要织构为较强的变形织构<111>//ED;3 5 0℃挤压时主要织构类型转变为强度相当的变形织构<111>//ED+再结晶织构<100>//ED,且强度显著降低;400℃～700℃挤压时织构漫散分布;750℃挤压时织构类型转变为再结晶织构<100>//ED,且强度略有升高。（5）挤压温度对高纯铜挤压棒中特殊结晶分布具有显著影响,热挤压时挤压温度主要通过影响高纯铜中∑3晶界的占比影响特殊晶界分布。较低挤压温度时挤压棒几乎不存在特殊晶界,随着挤压温度升高动态再结晶程度增大,挤压棒中特殊晶界占比迅速升高,最终趋于稳定。