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分立器件在大规模量产的同时,只有经过测试,各特性参数都达标的分立器件才能推向市场。因此,对半导体分立器件测试的研究就非常重要了。其中,对半导体分立器件(二极管、三极管、场效应晶体管、闸流管等)的击穿电压和漏电流的测试是该测试仪的重要测试参数。针对项目的需要,我们自行研制了这种±(30V～1000V)的可调高压板。本文基于对基本移相控制ZVS-PWM变换器电路结构、控制原理等的分析,得出开关管实现零电压开关的条件,副边占空比丢失的原因以及解决方法;分析出变换器的滞后臂难实现零电压开关(ZVS