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巨磁阻抗(giant magneto-impedance,GMI)效应是近期在非晶态软磁合金中发现的非常具有研究价值和实用价值的一种特殊物理效应,即在外磁场作用下,其交流阻抗发生灵敏的变化.与通常使用的MR、GMR和磁通门传感器相比,GMI传感器具有灵敏度高、尺寸小、响应速度快和功耗低等特性,因此GMI效应一经发现就引起人们广泛的重视.该文系统研究了等温退火和直流焦耳处理两种方法对钴基非晶软磁合金薄带的巨磁阻抗效应的影响,目的是开发出实用化的GMI材料.同时对经焦耳处理后的非晶态合金的巨磁阻抗效应随时间的变化规律和生产工艺对巨磁阻抗效应稳定性的影响进行了初步的探索,并分析了经各种方法处理后样品的XRD谱与GMI效应之间的关系.主要结果如下:样品的GMI效应存在频谱特性.在不同的驱动电流频率下,样品所表现出来的GMI效应也不一样,存在最佳驱动电流频率,该实验中的Co<,68.15>Fe<,4.35>Si<,12.5>B<,15>和Co<,71.8>Fe<,4.9>Nb<,0.8>Si<,7.5>B<,15>两种成分样品的最佳驱动电流频率均为8MHz.等温退火处理和直流焦耳处理的各工艺参数对GMI效应有很大的影响,存在最佳工艺条件.Co<,68.15>Fe<,4.35>Si<,12.5>B<,15>的最佳等温退火条件是退火温度为300℃,保温时间60min.,处理后样品的最大磁阻抗变化率为24％,而Co<,71.8>Fe<,4.9>Nb<,0.8>Si<,7.5>B<,15>样品等温退火处理的最佳工艺条件是退火温度350℃,保温时间60min.,处理后样品的最大磁阻抗变化率达到24％.Co<,68.15>Fe<,4.35>Si<,12.5>B<,15>样品焦耳处理的最佳工艺条件是电流密度30A/mm<2>,电流上升时间3s,电流保持时间120s,拉应力100g,处理后样品的最大磁阻抗变化率达到212％;Co<,68.15>Fe<,4.35>Si<,12.5>B<,15>样品焦耳处理的最佳工艺条件是电流密度35A/mm<2>,电流上升时间1s,电流保持时间22s,拉应力100g,处理后样品的最大磁阻抗变化率达到292％.