介质材料对纳秒脉冲介质阻挡放电影响的研究

来源 :大连理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:songxin_gkong
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
介质阻挡放电是产生均匀非平衡等离子体的最简单的方式之一,其产生的等离子体由于具有低温、粒子密度适中和化学活性粒子种类多等特点,在生物医学、材料表面改性方面有着巨大的应用。本文采用双向纳秒脉冲电源在针-板式电极结构下获得了稳定弥散大气压低温等离子体,重点研究了介质板材料对纳秒脉冲介质阻挡放电等离子体均匀性的影响。在此过程中,利用光栅光谱仪、电压电流探头和示波器对产生的等离子体进行了光学诊断和电学诊断,取得的结果如下:  1.利用针板式电极结构,采用双向纳秒脉冲电源在大气压空气中获得了弥散的介质阻挡放电等离子体,并且研究了不同介质材料对放电均匀性和N2(C3Πu→B3Πg,0-0,337.1nm)发射光谱强度的影响,探究了脉冲峰值电压和电极间隙对N2(C3Πu→B3Πg,0-0,337.1nm)发射光谱强度以及介质板表面等离子体面积的影响。实验发现,相对介电常数较大的材料做阻挡介质时,N2(C3Πu→B3Πg,0-0,337.1nm)的发射光谱强度更强,但是放电均匀性要差一下;随着脉冲峰值电压的增加,N2(C3Πu→B3Πg,0-0,337.1nm)的发射光谱强度和介质板表面等离子体面积变大;随着电极间隙的增大,N2(C3Πu→B3Πg,0-0,337.1nm)和介质板表面等离子体面积减小。  2.利用Specair软件将实验测得的N2(C3Πu→B3Πg,0-2)和N2(C3Πu→B3Πg,1-3)的发射光谱与模拟光谱拟合,确定了脉冲峰值电压为26kV,脉冲重复频率为150Hz时,分别使用陶瓷、石英玻璃和聚四氟乙烯做阻挡介质时的温度为357K,340K和315K。  3.成功的在氮气大气压下,利用纳秒脉冲介质阻挡放电获得了弥散的等离子体,并且研究了N2(C3Πu→B3Πg,0-0),NO(A2Σ→X2Π)和OH(A2Σ→X2Π,0-0)发射光谱强度的空间分布行为,发现在针板电极附近都会出现一个发射光谱强度的峰值,且沿针电极到板电极方向有减弱的趋势。
其他文献
ZnS作为Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙半导体材料,已被广泛应用于显示器、太阳能电池和生物医学等领域。由于其价格低廉、环境及生物安全性好等特点,近些年其光学性质调节方面的研究
量子退相干的研究是当代物理学界的一个重大课题。由于传统的超算符方法无法处理很多重要的问题,因此本文引入一种全新的方法-热纠缠态表象法来处理开放量子系统的退相干问题
随着石墨烯技术的应用发展,高质量的石墨烯生产技术还不完善,石墨烯碎片的物理性质的研究非常重要,nm级别的量子点又具有尺寸效应,电导率是重要的物理参数之一,所以对于石墨烯量子点溶液电导率特性的研究有着重要的应用价值。对石墨烯量子点溶液的电导率特性产生变化的主要影响因素有溶液浓度、溶液温度、溶液所处的磁场、溶液的频率等。本文利用精度为0.001g的高精度电子天平分别配置了浓度为0.05g/L、0.1g
稀土离子掺杂上转换发光材料在光电子器件、新型光源、光学传感、细胞成像及疾病诊断等方面具有广泛的应用前景,已成为人们关注的焦点。氧化物基质材料透光性好,热稳定性、机械
作为一门新兴学科,高压科学的研究对象是高压下物质的物理和化学性质,其研究领域几乎涵盖了物质科学的所有领域。在高压状态下,原子或分子之间的距离明显地缩短,电子结构随之改变