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当前,钙钛矿结构锰氧化物是最具有代表性的一类新型材料,它不仅能通过外部磁场刺激产生多种多样的非常规电子-晶格结构变化或绝缘-金属相变,还可以通过可见光、X射线和电子束的照射以及电流输入来改变其性质。这些电子相变中隐含的物理机制被认为是理解庞磁阻(CMR)等磁电效应的关键。本文以半掺杂的即空穴载流子密度为0.5的锰氧化物Sm0.5Ca0.5MnO3为起始研究对象,研究不同浓度C03+掺杂对系统的电荷、自旋、轨道和晶格的影响。采用标准陶瓷合成法制备出单相的多晶Sm0.5Ca0.5Mn1-xCoxO3样品