印刷碳纳米管薄膜晶体管和简单逻辑电路的构建及电性能研究

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印刷电子是最近5年来才在国际上蓬勃发展起来的新兴的学科、技术与产业。与传统硅基微电子技术相比,印刷电子具有大面积、柔性化、低成本、绿色环保、制作工艺更加简单等特征,使印刷电子产品在柔性电池、柔性薄膜太阳能电池、薄膜晶体管、发光二极管和电子纸等领域有着广泛的应用前景。印刷薄膜晶体管是印刷电子的基础性器件,它的性能直接影响了印刷电子产品的性能。在很大程度上,半导体材料的性质决定了印刷薄膜晶体管的性能。用印刷方法制备薄膜晶体管时,要求材料必须可以溶液化、成膜性较好、以及良好的环境稳定性。半导体性单壁碳纳米管具有优越的电学、力学、光学等性能,加上碳纳米管的物理和化学性质稳定,容易溶液化,这使得半导体碳纳米管已成为构建可印刷半导体墨水最理想的材料之一。然而半导体碳纳米管的分离、碳纳米管器件性能的一致性和碳纳米管选择性沉积等都是碳纳米管领域的难点。本文研究了聚[(9,9’-二己基-2,7-芴)-并-(9,10-蒽)](PFO-BT)选择性包覆碳纳米管,从商业化碳纳米管中快速有效的选择性分离出半导体性碳纳米管,将单壁碳纳米管高效均一地分散在有机溶剂中,得到可印刷的半导体性碳纳米管(s-SWCNTs)墨水。通过衬底功能化处理可以得到非常致密的碳纳米管薄膜,同时显著提高碳纳米管薄膜晶体管器件的一致性。利用气溶胶喷墨打印法在刚性Si/SiO2衬底和柔性PET衬底上制备了高性能CNT-TFT和简单的逻辑电路,包括:反相器、环形振荡器、与非门、或非门。其中在刚性Si/SiO2衬底上底栅型CNT-TFT的移率可达26.6cm2v-1s-1开关比有106;在柔性PET衬底上顶栅型CNT-TFT开关比可达105,迁移率高达91.9。
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