近年来，磁性隧道结的相关实验和理论研究显示，无论是FM/I/SF/NM（铁磁层/绝缘层/自旋过滤层/普通金属层）单自旋过滤隧道结还是NM/SF/I/SF/NM（普通金属层/自旋过滤层/绝缘层/普通金属层）双自旋过滤隧道结，除了能得到极大的隧穿磁电阻以及自旋极化电流以外，还能克服普通的磁性隧道结中隧穿磁电阻随偏压升高而急剧下降的缺点。鉴于自旋过滤结潜在的应用价值和在自旋极化隧穿研究方面的意义，本文在前人研究的基础之上，进一步对两种自旋过滤隧道结中的隧穿时间进行了研究。首先本文介绍了磁性隧道结和隧穿时间相关的研究背景.然后基于Winful，以及Guo等人的研究，对单、双自旋过滤隧道结中的自旋相关的居留时间和相位时间进行了计算。计算发现对于FM/I/SF/NM隧道结，当入射电子的能量高于势垒高度时（高能区）上自旋电子和下自旋电子的居留时间和相位时间趋于一致，而当入射电子的能量小于势垒高度（低能区）时，由于自旋相关的自相干项的影响，不同自旋方向的电子相位时间总是大于居留时间。其中对于上自旋电子居留时间和相位时间差距明显，并且这种差距随绝缘层，自旋过滤层的宽度和高度增大而增大到趋于不变，而对于下自旋电子相位时间和居留时间差距不明显，但对于不对称势垒的情况（I层和SF层势垒高度不同），该差距会随自旋过滤层的宽度，高度，和分子场的增大而增大。对于NM/SF/I/SF/NM隧道结，上下自旋电子的居留时间和相位时间的特点和单自旋过滤隧道结的情况类似，但当改变自旋过滤层和势垒层的势垒高度时，居留时间和相位时间会出现峰值，其原因是由于自旋极化电子的共振隧穿造成的。上述研究希望对将来基于自旋极化隧穿效应的自旋电子器件的研究起到一定的帮助和作用。