氮化镓基发光二级管(GaN-LED)被称为下一代照明光源，受到广泛地关注和研究。但是在传统的GaN-LED中，有源层发出的光在经过发光二极管(LED)内部的吸收，损耗以及在铟锡氧化物(ITO)层与空气层界面的反射之后，只有不到5%的光逸出到空气中。因此，如何提高LED的出光效率成为该领域学者研究的热点之一。本文主要对光子晶体参数的优化以及基于纳米压印技术实现光子晶体LED的制备进行研究。在参数优化方面，依据光子晶体对提高LED出光效率的物理原理本文提出光子晶体LED的三种分析模型：禁带模型、薄膜等效折射率模型和衍射模型，并通过这三种理论模型寻求最佳的光子晶体参数。对于P型氮化镓(p-GaN)层光子晶体LED，得出光子晶体的最佳参数是：阵列为三角形阵列；孔型为圆孔型；占空比选择区间是0.85-0.92；晶格常数为425-463nm；厚度为100-115nm。并依据衍射模型，使用时域有限差分方法得到出了在此参数下相对于没有光子晶体的LED，其出光效率提高了12.7%-15.9%。在光子晶体LED的制备方面，本文使用纳米压印技术和感应耦合等离子(ICP)刻蚀技术制作周期为450nm，孔直径为300nm的p-GaN层光子晶体LED。为解决GaN外延片P型层表面不平整造成的图形转移效果差的问题，本文以二氧化硅和聚合物双层膜为掩膜，采用两次刻蚀，得到了完整的图形转移效果。测试结果显示，光子晶体LED的发光强度普遍高于普通的LED，光致发光测试显示其峰值是原来的7.2倍。制作光子晶体的工艺对LED芯片的电性能影响不大；光子晶体的引入提高了光输出功率，幅度约在10%-15%。