电子束曝光系统和YBCO纳米桥rf SQUID的研究

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该论文中,作者研究了YBCO纳米桥实现约瑟夫森弱连接的可行性,并在国内首次把它成功地用于rf SQUID.作者工作主要包括两个部分:第一部分是电子束曝光系统和工艺的研究.作者的电子束曝光系统是原有的HITACHI-530扫描电镜的基础上进行改造,加装电子束闸和外部电子计算机控制部分构成的.该系统的线分辨率优于100nm.作者对电子束曝光中的"邻近效应"进行了初步的讨论.对SEM的电子束斑和束流的关系进行了测量.作者通过曝光两条间隔为200nm左右的平行直线来获得纳米桥图形.第二部分是纳米桥rf SQUID的制备和测量.采用磁控溅射的方法在5×10mm的SrTiO<,3>衬底上得到YBCO高温超导薄膜,其转变温度一般大于85K.为了制备纳米桥,作者先采用普通紫外光刻技术在YBCO上得到有10μm桥上套刻出200nm左右的纳米桥.作者对制备的纳米桥rf SQUID的性能进行了测量.磁通噪声为4×10<-4>Ф<,0>/Hz<1/2>,磁场分辨率为2.0pT/Hz<1/2>.对没有电压调制信号的器件,经过EDTA后腐蚀技术对纳米桥进行弱化处理,部分器件出现了电压调制信号,结果证明比方法是可行的.另外,作者还对器件的优化、噪声、磁通聚焦、退化等特性进行了初步的研究.但纳米桥rf SQUID距离实际应用还有很大的差距.它的性能还有待于进一步研究提高.
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