BZT基电容介质材料的掺杂及液相包裹改性研究

来源 :华北理工大学 | 被引量 : 2次 | 上传用户:ppaann850729
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锆钛酸钡(BZT)材料具有优良的介电、铁电性能,作为重要的铁电材料,常应用于各种元器件中。为了提高其介电性能及温度稳定性,常采用掺杂和包裹的方法对其改性,以期达到实际应用的需要。采用固相反应法,制备了Fe2O3及Gd2O3、La2O3、Sm2O3掺杂的BaZr0.1Ti0.9O3基陶瓷粉体。采用液相包裹法,在BZT基粉体表面包裹一层Al2O3、SiO2。然后分析了试样的微观结构、介电性能等。研究结果表明:随着Fe2O3掺杂量的增加,试样的介电常数εr先增加后减小,在掺杂量y=1.00时有较大值,介电损耗tanδ整体上减小。随Gd2O3掺杂量的增加,介电常数在掺杂量y=0.20和0.60时有较大值,介质损耗整体上表现出下降趋势。Fe2O3、Gd2O3的掺杂都具有一定的移峰与展宽的作用。随着La2O3掺杂量的增加,室温下介电常数增加,介质损耗整体上表现出下降趋势。La2O3的掺杂对居里峰值有所提高,有较明显的移峰效果,但居里峰展宽效果不明显。复合掺杂时,介电常数随Sm2O3加入量的增加先增加后降低,介质损耗整体上表现出增加趋势。Sm2O3的掺杂具有一定的移峰与展宽的作用。随着A12O3包裹量的增加,试样的体积密度ρV逐渐减小,介电常数降低,介电损耗增大。随着包裹量的增加,A、B工艺条件下,居里点均向低温方向移动,同时介电峰被压低展宽。随着SiO2包裹量的增加,试样的体积密度ρV逐渐减小,介电常数降低,介电损耗增大。A、B两种工艺条件下,随着包裹量的增加,居里点向高温移动,B工艺条件下,包裹对压峰效果不明显。
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