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硒化镓晶体是一种性能优良的红外非线性光学晶体，能够实现中红外、远红外，甚至太赫兹波段的激光频率转换。本论文采用单温区法在980℃下合成GaSe多晶，采用垂直布里奇曼技术进行单晶生长，并应用Material Studio5.0软件对晶体进行了理论研究。采用单温区法合成出GaSe多晶料。对GaSe多晶合成进行的热力学理论研究，其结果表明设计反应温度下（980℃），GaSe多晶合成反应是自发的，反应的平衡常数K~θ=6.95×10~8，反应彻底。此外，由于硒的饱和蒸压较大，对多晶合成的反应安瓿进行