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信息化高速发展的今天,大规模集成电路技术和终端显示技术成为信息化社会的两大最重要的支柱技术。传统的Si基半导体工艺存在投资成本高、制备工艺复杂、不适于柔性基底和大面积生产等不足。有机场效应晶体管以其新颖、低成本、可与柔性衬底兼容的独特优势迅速发展起来,为低成本大面积柔性平板显示阵列和集成电路提供了新的解决方案,成为有机电子学中重要的前沿课题。本文将从器件结构入手,制备了垂直构型有机薄膜场效应晶体管,使器件的沟道长度降到纳米量级,详细分析了影响这种场效应晶体管器件性能的各种因素。首先,我们对一系列绝缘材料的电学特性进行了表征。利用交流阻抗谱和C-V测试方法研究了器件ITO/LiF（120nm）/Al的动态电学特性,得到其单位电容Cp的数值为15 nF,建立了等效电路模型,求出了其等效电路图。用类似的方法,也分别测得了SiO2、PMMA、SiNx和TiOx薄膜的单位电容值。其次,我们成功地制备了垂直构型有机场效应晶体管。通过分析有机半导体层与金属电极的界面接触和栅绝缘层的电容特性,探讨了器件的工作机理。（1）制备了基于并五苯（Pentacene）的垂直构型场效应晶体管器件,研究了不同绝缘材料对器件性能的影响。用相对介电常数为9.036的LiF薄膜（120nm）为栅绝缘层的器件“开/关”电流比为20,对源极进行氧化处理并加入LiF薄层之后,器件的“开/关”电流比提高到103,其开启电压低于3 V。电容单元的单位电容量大小对晶体管器件的性能影响很大。当用厚的低介电常数的绝缘材料为电容单元时,晶体管器件的源漏电流几乎不随栅压的改变而改变;当用薄的高介电常数的绝缘材料为电容单元时,则因漏电流较大以及界面聚集电荷较多而容易隧穿肖特基势垒,导致器件的源漏电流较大,且出现零点漂移现象。（2）制备了基于酞菁铜（CuPc）的垂直构型场效应晶体管器件,得到在相同栅绝缘层下器件的“开/关”电流比低于基于Pentacene的垂直构型场效应晶体管器件的“开/关”电流比,且由于Al/CuPc界面处的电子注入势垒比Al/Pentacene界面的低,器件工作电流较大。