纳米复合永磁材料由于可以兼具高矫顽力与高饱和磁化强度,因而具有很高的理论磁能积,在最近二十年获得了较快的发展。其主要原因是硬软磁相之间存在交换耦合作用,使硬磁材料的剩磁大幅度地提高。另外,纳米复合永磁材料降低了稀土元素的含量,成本较为低廉,有着良好的发展前景,既可作为永磁功能器件被广泛应用于计算机、能源、航空航天、医疗器械等诸多高新技术行业,也能制备磁记录介质等磁性器件。科研人员虽然已经获得了一些较高性能的纳米双相复合磁体,但是与其120MGOe的理论值相比,还有着非常大的差距。这是因为在剩磁增强的同时,矫顽力下降很快,从而限制了磁能积的提高。鉴于两相之间的交换耦合作用主要发生在界面处,本文采用在两相之间插入非磁层的方法来研究界面结构对纳米复合永磁材料磁性能的影响。采用磁控溅射在MgO(110)基片上制备了不同软磁层厚度的SmCo/Fe纳米复合双层膜。使用SQUID-VSM测得在25K和300K时的磁滞回线以及得到软磁厚度在6~40 nm变化范围内的软磁形核场,并用理论进行拟合分析,得到理想的结果。在硬软磁相之间插入不同材料和厚度的非磁性界面层来改变界面结构,研究界面结构对SmCo/Fe纳米复合薄膜的磁性能和交换耦合作用的影响,采用微磁学理论对不同界面结构时的软磁形核场随软磁厚度的变化关系进行拟合分析,得到相应的的界面耦合系数。对比实验结果与理论分析,随着非磁性界面层的加入以及厚度的增加,使得硬软磁交换耦合作用减弱,相应的界面耦合系数减小,软磁形核场减小,而硬磁不可逆反转场升高。