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多所有者轻量级RFID认证和所有权转移协议设计
【出 处】
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西安电子科技大学
【发表日期】
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2021年01期
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SiC材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等优点,是制作功率半导体器件的理想材料。碳化硅绝缘栅双极型晶体管（SiC IGBT）在具备IGBT高输入阻抗、高电流密度、饱和压降低、驱动功率小等优异特性的同时,还兼具了 SiC材料耐高压、耐高温、耐腐蚀、抗辐射、工作频率高等优点,是应用于高压大电流场合的理想器件,发展前景十分光明。在SiC IGBT的设计中,改善击穿电压和导通压降