【摘 要】
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该文对部分耗尽SOI CMOS器件、工艺和电路进行了研究,主要内容如下：（1）研究了SOI NMOS器件寄生npn以极晶体管增益β和漏击穿电压与硅膜掺杂浓度、硅膜厚度和栅长的关系,以及阈值
【出 处】
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中国科学院微电子中心 中国科学院微电子研究所
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该文对部分耗尽SOI CMOS器件、工艺和电路进行了研究,主要内容如下：（1）研究了SOI NMOS器件寄生npn以极晶体管增益β和漏击穿电压与硅膜掺杂浓度、硅膜厚度和栅长的关系,以及阈值电压随漏端电压变化的规律;研究了传统体接触技术抑制SOI NMOS器件浮体效应的局限性.（2）提出和实现了源区浅结+注Ge可以降低寄考双极体管的增益,提高器件性能.（3）模拟研究了一种可以完全抑制浮体效应的新型Schottky体接触结构.（4）成功研究开发出适合于厚膜SOI器件横向隔离的两步LOCOS隔离工艺.（5）采用氢氧合成+氮化工艺来制备高可靠性的抗辐照栅介质,研究了这种栅介质的击穿特性及其对部分耗尽SOI MOS器件电流驱动能力和抗热电子衰退能力的影响.（6）针对我们原来所研制的CMOS/SOI 64K SRAM静态功耗偏大的特点,开展了SOI CMOS电路漏电机理的研究.
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