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透明导电氧化物（TCOs）由于其在电学、光学和化学特性上的多样性而成为了基础研究和技术应用的激发材料。二氧化锡是一种非常重要的且广泛应用在太阳能电池、固态化学传感器和电致发光二极管等领域的宽禁带透明导电半导体氧化物。而原子层沉积技术作为20世纪一种新出现的薄膜沉积技术,以其在原子级尺度下精确控制薄膜厚度的优势为进一步降低CMOS集成电路特征尺寸提供了可能。本论文利用原子层沉积技术,采用四（二甲氨基）锡和去离子水作为前驱体在175℃下制备了氧化锡薄膜,结合后退火工艺在氢气和氧气气氛中,退火温度为300、400和500℃,利用原子力显微镜、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱、紫外-可见分光光度计和介电频谱仪等表征方法分析了薄膜的特性。此外,还制备了SnO2/Si异质结,分析了异质结的基本参数（理想因子、整流比和势垒高度等）随温度的变化及其原因,对异质结界面载流子传导机制随温度和偏压的关系进行了深入研究。在不同气氛不同温度下对氧化锡薄膜进行后退火处理,我们发现氢气气氛下退火的样品随着退火温度升高其I-V特性逐渐从线性关系变为了非线性关系,且薄膜电阻在逐渐增大,而载流子浓度在逐渐减小。而氧气气氛下的曲线全部表现为线性关系,且随退火温度升高电阻逐渐减小。对氧化锡薄膜介电特性的研究表明在氢气下退火会导致电容和介电损耗随着温度的升高而减小。而在氧气下退火的样品其电容和介电损耗会随着温度升高而逐渐增大。分析了SnO2/Si异质结在温度范围为290400 K下的I-V特性曲线,研究表明异质结的理想因子、整流比和串联电阻随着温度升高而减小,反向饱和电流、拐点电压和势垒高度随温度升高而增大。我们认为由于异质结的平均界面态密度随着温度升高而减小使得异质结性能得到改善。此外,我们还发现异质结界面载流子的传导存在三种机制。在高温低压区域的热离子发射和直接隧穿机制,在高温高压区域的热离子发射和Fowler-Nordheim（F-N）隧穿机制,在低温低压区域的直接隧穿机制和在低温高压区域的F-N隧穿机制。与ZnO/Si异质结相比,SnO2/Si异质结克服其反向电流不易饱和且整流比较小的缺点。且首次对SnO2/Si异质结温度和偏压相关的界面载流子传导机制进行了研究。我们认为这些研究结果将有助于对氧化锡薄膜的理解并可以显著提高宽禁带氧化物基异质结的性能。