近年来，聚合物发光二极管由于在平板显示领域潜在应用受到广泛研究。有些器件性能已经达到商业化指标，但是要真正大规模投入产业化，还有很多问题需要解决，诸如器件的效率、寿命、色纯度等方面。高性能聚合物发光二极管的实现，一方面有赖于开发出新型高性能的共轭聚合物体系，另一方面则需要在器件方面进行优化设计。本文的主要目的是在深入研究本实验室合成的聚合物发光材料性能基础上对其器件进行优化设计，争取实现高亮度、高效率和色纯度优异的聚合物发光二极管。 MEH-PPV是研究较多的一种发光材料，由于其链间易形成聚集态，链内缺陷导致共轭长度分布宽，所以其发射峰通常较宽。有研究发现将更大的烷基集团接在其主链上能有效抑制聚合物链间或链内聚集，然而这些大侧链集团的引入降低了载流子的注入和传输，总体器件性能提高不大。MEH-PPV发射的光一般呈橙色(580-590nm)，其色度不适合于作为全色显示屏的红色组份。我们通过选择P-PPV作为主体材料与MEH-PPV进行共混，结果共混体系的MEH-PPV电致发光峰相对与纯MEH-PPV的发光峰(582nm)发生了约18nm的红移，半高宽从91nm减至36nm，这种共混器件的发光效率也得到了极大的提升，发光峰的位置及半高宽随共混浓度的变化不大。 共聚是开发高性能聚合物发光材料的有效途径之一。我们对本实验室合成的一系列芴与不同窄带隙单体共聚物的光荧光与电荧光特性进行了研究。发现光荧光量子效率和电荧光量子效率与窄带隙单体与芴链段的摩尔比有极大的相关性，但最佳效率时的共聚比例与窄带隙单体的结构有关。将烷基侧链引入窄带隙单体上能有效提高共聚物的溶解性和光荧光的量子产率，但器件的电荧光量子效率并未由于引入长链侧基而降低。 聚合物共混经常用于发光器件的优化，我们通过选择合适的主体材料与芴基交替共聚物进行共混，调节共混比例与该类无规共聚物共聚比例对应，来比较共混物与无规共聚物的光电特性。我们发现在一定范围内同比例的共混物与无规共聚物在吸收、发射光谱和光荧光效率等方面很相近，但是共混物所制备器件的发光效率比无规共聚物略高。 芴与含噻二唑类窄带隙单体共聚能有效地调节该类共聚物的电子注入性能，但是基于该类共聚物的器件效率不高的原因可能是由于其空穴注入能力较差。我们以P-PPV作空穴注入层，噻二唑类共聚物作发光层，设计聚合物双层器件，结果双层器件能显著提高该类共聚物电致发光效率，从而证实是空穴注入限制了该类共聚物电致发光效率。