近年来，以自组装量子点为有源区的半导体激光器由于其潜在的优异特性受到了人们的广泛关注，但由于量子点材料光学性质的温度稳定性较差，以至于量子点激光器的性能指标远未如理论预言的那么优越。本论文以提高自组装量子点光学性质的温度稳定性和制备量子点激光器为主要内容，得到的主要结果如下：　　 一、利用MBE技术制备了InGaAs量子阱与InAs/GaAs量子点的复合结构。常温光致发光谱实验显示，与同样条件下生长的常规量子点结构相比，这种结构的发光峰半高宽明显变窄，发光强度增强。表面量子点形貌研究表明，这种量子阱+量子点结构的量子点尺寸减小、密度增大，同时浸润层厚度大为减小。　　 二、研究了上述量子点结构光学性质随温度的变化。结果显示，发光峰半高宽几乎不随温度变化，这一点明显区别于普通InAs/GaAs量子点材料发光峰半高宽随温度上升先变窄后变宽的行为。对这一实验结果进行了初步分析，认为这源于相邻的InGaAs量子阱引入了应变，导致在浸润层厚度较小时InAs便开始成点，而浸润层作为量子点之间的载流子转移通道作用便相应的受到了削弱。　　 三、研究了快速热退火对上述InGaAs量子阱+InAs/GaAs量子点结构光学性质的影响，发现随着退火温度从800℃上升到900℃，样品量子点发光峰位发生了明显的蓝移，而量子阱的发光峰位基本不受影响。该实验结果的意义在于，可以通过简单的快速热退火工艺实现量子阱与量子点之间能级相对位置的可控调整。　　 四、制备了两种自组装量子点激光器件。其中器件一的有源区为多层耦合量子点，量子点层之间以AlAs间隔。该器件的激射说明了载流子在各量子点层之间存在着隧穿效应；器件二为隧穿注入量子点激光器，实现了室温连续激射。与常规量子点激光器相比，其特征温度有所提高。