二维材料因拥有优良的光学、电学、磁学、力学等特性受到物理学界和材料科学界研究人员的广泛关注,其性质与材料的成分、结构、层数等因素密切相关,二维材料的可控制备是开发其应用的前提和基础,是当前热点研究内容之一。类石墨烯过渡金属硫族化合物,如WS₂、MoS₂等,当它们由体材减薄至单层其能带结构由间接带隙转变为直接带隙,呈现出优异的光电子性能,有望应用于太阳能电池、光电探测器、光催化、锂离子电池、传感器等多个领域。WS₂作为过渡金属硫化物的典型代表,具有的物理性质如谷极化、能带结构可调等,在很多领域具有广泛的应用前景。本论文将围绕以下三个方面对WS₂的制备及性能表征展开全面的分析与讨论,主要研究内容如下:（1）分别从前驱物、气压、生长温度、生长时间、硫粉量、生长流速及基片位置七个方面讨论了各个因素对WS₂生长的影响,并最终得到了WS₂的最优制备条件:WO_2.9作为钨源,反应气氛为常压,保温温度为900℃,保温时长为10min,硫粉用量为0.7g,Ar流速为160sccm,基片位置为炉体中心。在这个条件下,可以制备出单层尺寸约400μm、高结晶质量的WS₂三角形薄膜。（2）探索WS₂薄膜的转移技术,具体讨论了分别以PMMA（Polymethyl methacrylate）、PS（Polystyrene）、PVP（Polyvinylpyrrolidone）/PVA（Polyvinyl alcohol）作介质的三种参数对转移效果的影响。转移结果表明:PMMA介质转移法可以实现WS₂薄膜的大面积转移,但PMMA去除不完全,同时丙酮会导致WS₂薄膜被破坏;PS比PMMA拥有更强的黏附力,用PS做转移介质可以实现全部WS₂薄膜的转移,但PS残留仍然很严重;水溶性PVP/PVA转移法可以实现WS₂薄膜完全转移的同时,还能保证PVP/PVA可以用去离子水完全清除,是目前三种方法中效果最好的方法。（3）探索用不同化学试剂液相剥离WS₂块材的工艺,获得了分散性较好、浓度较高且足够稳定的悬浊液,并在此基础上制备了WS₂柔性薄膜,制备了光电器件,研究了离心转速和石墨掺杂对WS₂薄膜光电性能的影响规律。