铌酸锂(LN)由于其显著的铁电、压电和非线性等光学性质,成为集成光学备受关注的材料之一,逐渐发展成为支撑光学器件优秀的铁电材料。目前,图形化铌酸锂薄膜的制备吸引了越来越多的目光,大多数的制备方法比较昂贵,依赖大型设备且不可更换基板。然而,最近的一些研究提出了一种便捷的制备LN前驱体的方法。基于水溶性前驱体溶液,优质的图形化铌酸锂薄膜的制备将可能满足人们的需求。本文基于水溶性前驱体,采用两种不同的方法:激光直写法和激光晶化法制作图形化的铌酸锂薄膜。首先,对溶胶-凝胶法制备铌酸锂薄膜做了系统的研究,分析了前驱体浓度、衬底处理、热处理过程对铌酸锂薄膜的影响。当铌酸锂前驱体浓度太小时,溶胶和衬底之间的粘附力太小;相反,当浓度太大时,在热处理过程薄膜会产生气泡。衬底上残留的颗粒会降低图形质量。另外衬底的接触角也是影响薄膜质量的一个关键因素。在热处理过程中热处理温度、时间、速率会影响薄膜中有机物的挥发程度和薄膜的结晶程度。其次,激光直写法中溶胶的溶解度是选择性去除铌酸锂溶胶薄膜的关键因素。采用适当的低温热处理获得适当的溶解度,保证图形化铌酸锂薄膜的完整性。本文利用光学显微镜和扫描电镜对图形薄膜进行观察,探究了在不同温度下铌酸锂溶胶的溶解度变化。激光晶化法中利用激光的高能热量使铌酸锂凝胶由非晶状态转变为晶体,在此过程中激光前沿的温度梯度对图形质量影响巨大。激光晶化法在制备过程中衬底温度、激光功率、扫描速度是影响图形化铌酸锂薄膜的三个关键因素。通过实验,激光直写法在240℃低温热处理可获得适当的溶胶溶解度。在激光晶化过程中,当衬底温度T=130℃,激光功率P=1.2 W,扫描速度v=0.625μm/s时能得到优质的图形化铌酸锂薄膜。我们认为结晶前沿温度梯度对薄膜质量有重要作用。此外,通过结晶模式对两种方法制备的不同图形化铌酸锂薄膜的形貌特征(多孔和致密)进行了解释。两种方法制备出的图形化铌酸锂薄膜将可以别应用于集成光学和生物医学领域。