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近年来,光电探测器被广泛地应用于军事和国民经济等领域,具有极大的应用价值和科研价值。本文利用ZnO的宽禁带、高电子迁移率等优势,构筑基于ZnO纳米棒(ZnO NRs)阵列结构的自供电光电探测器,并通过对ZnO纳米棒进行Ga掺杂,获取了较好的光电性能。首先,我们利用水浴法生长ZnO纳米棒,制备了基于n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结的自供电紫外光电探测器。由于水浴法制备的ZnO纳米棒有较多缺陷态,这些缺陷会捕获光生载流子,降低器件性能,因此我们通过对ZnO纳米棒掺入Ga元素来减少纳米棒中的缺陷浓度,提高器件的光电探测性能。研究发现,在相同的条件下,Ga:ZnO(GZO)纳米棒/GaN异质结探测器相对于ZnO纳米棒/GaN探测器具有更好的光电响应特性,并且能够实现更可靠的自供电性能。在零偏压,光强为1.31 mW/cm2的混合紫外光照射下,GZO纳米棒/GaN探测器的光/暗电流(lph/ldark)比达到了3.2×105,此数值是ZnO纳米棒/GaN异质结光/暗电流比的75倍;掺Ga纳米棒器件的响应度最大值达到0.23 A/W,是ZnO纳米棒基探测器的3倍多。其次,我们以GZO纳米棒阵列为支架层,用两步溶液法制备CH3NH3Pbl3钙钛矿薄膜,成功获得了 GZO纳米棒/CH3NH3Pbl3/Mo03异质结自供电光电探测器。由于钙钛矿较宽的吸收波段,CH3NH3Pbl3探测器具有从300nm~800 nm的光谱响应区域。通过对比测试GZO纳米棒/CH3NH3Pbl3/M0O3与ZnO纳米棒/CH3NH3Pbl3/Mo03探测器的光电性能,我们发现,GZO纳米棒/钙钛矿探测器的自供电探测性能得到了较大提升。在无外加电压的作用下,GZO纳米棒/CH3NH3PbI3/Mo03探测器的最大响应度和探测度分别达到0.34 A/W和1.6X 1012Jones,均高于ZnO纳米棒/CH3NH3Pbl3/Mo03探测器的值。最后,为了简化器件结构,我们制备了无空穴传输层的钙钛矿光电探测器。基于石墨较高的载流子迁移率和电导率,能为载流子提供有效的传导途径,因此我们在GZO纳米棒/钙钛矿上制备石墨电极,成功获得了性能较好的GZO纳米棒/CH3NH3Pbl3/C结构光电探测器。经过测试,在零偏压下,GZO纳米棒/CH3NH3Pbl3/C光电探测器仍有较大的光/暗电流比、响应度和探测度,其值分别为1.8×103、0.32A/W和1.3×1012Jones。另外,无空穴传输层的GZO NRs/CH3NH3PbI3/C探测器在稳定性方面有较大提升,其原因可能是几十微米厚的石墨可以更好地隔离钙钛矿与空气,提高了器件的稳定性。