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氟碳薄膜是一种很有应用前景的集成电路用介质材料,其低的介电常数和较好的热稳定性使它可以取代传统的SiO_2作为致密、高速集成电路的金属互连线间的绝缘隔离层,从而提高集成电路的速度和效率。介质阻挡放电是一种可在中高气压范围内产生非平衡等离子体的放电方式。利用介质阻挡放电沉积氟碳薄膜,是一种新颖的薄膜制备方法。该方法具有放电装置简单、耗能低、气体耗量小以及可实现在室温下多种基底上大面积成膜等优势。在总结多种氟碳薄膜沉积方法的基础上,我们利用介质阻挡放电在低气压和大气压两种气压条件下成功地制备出氟碳(FC