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GaN基LED在固态照明和信息显示等领域具有广阔的应用前景,其经济和社会意义十分巨大。随着LED的商业化,市场对LED可靠性的要求也越来越高。加之,LED芯片内各层材料的晶格常数和热膨胀系数存有差异,这都极大地制约了LED可靠性的提高。目前,研究LED稳定性和失效特性的方法大致有大电流老化,高温老化和湿度老化等,而热冲击作为一种更为显著地影响LED芯片内各层材料热膨胀性的方式,对LED芯片的光电性能的影响还有待于进一步研究。本文对Si衬底蓝光LED芯片的变温变电流性能进行了一定研究,并着重研究了热冲击对蓝光LED芯片光电性能的影响及相关的失效特性,获得了如下一些有意义和部分有创新性的结果：1、研究了Si衬底蓝光LED芯片从100K至350K各环境温度下不同电流密度的EL光谱及正向Ⅰ-V特性。结果表明,无论在哪个温度,随着正向电流的增大,样品的发光波长均存在蓝移的现象,并且随着环境温度的升高和正向电流的增大,蓝移倾向变缓；LED的发光光谱在低温下有第二峰的存在,并且,随着温度的升高和电流的增大,该峰慢慢淬灭；随着环境温度的升高,EQE最大值处所对应的电流密度呈指数函数增大。2、报道了513K热冲击及持续高温对Si衬底蓝光LED性能的影响。随着电流的增大,两种处理都使得正向电压增大,串联电阻增大,但是热冲击对正向电压和串联电阻的影响更为明显。同一电流下,热冲击与持续高温处理都会使得芯片的发光强度下降,而且持续高温处理后光强下降更为明显。然而,持续高温与热冲击两种方式处理后对芯片发光波长影响不大。3、芯片经受573K热冲击会出现裂纹,而且在热冲击过程中,芯片颜色逐步变深；通过对比573K热冲击对有、无Ag反射镜的芯片的光电性能的影响后证实,Ag反射镜的球聚可能是造成LED在573K热冲击后失效的重要原因之一。本论文得到了教育部长江学者与创新团队发展计划资助(IRT0730)和国家高技术研究发展计划资助(2006AA03A128)。