近年来,准一维纳米材料的研究已成为纳米材料科学领域的前沿和热点。准一维半导体纳米材料由于其独特的物理化学性质,对基础科学研究和纳米结构器件的构筑都具有非常重要的意义,因而引起科学界的高度重视。准一维半导体纳米材料功能化研究的一个重要方面就是探索和发展有效的、易执行的制备技术。本论文根据化学气相沉积的基本原理,设计了低成本、易操作、无污染的真空化学气相反应体系,发展了一条普适的合成半导体纳米材料的新途径。论文在总结吸收文献经验的基础上,选择硫属化合物和硅这两类重要的半导体材料做为研究对象,围绕其一维纳米材料在真空条件下的生长行为、形貌特征以及生长机理展开了系统的研究。这为构筑其他类别的半导体纳米材料提供了一个崭新的思路。本论文的主要研究内容及创新点如下:1、利用真空化学气相反应的方法制备了垂直于平面基底生长的单晶硫化铜纳米盘状结构,为构筑具有特殊形貌的纳米功能器件奠定了理论基础。2、合成了硒化亚铜纳米线,结构研究显示其具有面心立方单晶结构,沿[100]方向优势生长。3、在真空气相反应体系中,合成了规则排布的单晶硅亚微米线阵列。硅线尖端的催化剂粒子证明了它的VLS生长机制,同时也拓展了硫属化合物的应用空间。