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ZnE(E=S,Se,Te)都是宽禁带、直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物材料,具有优异的光电及光电转化等特性,在光学器件、太阳能电池、压电材料和激光材料等方面有很广的应用前景。 本文通过一简易化学气相沉积法,分别以NiS、CuSe、PbSe、SnTe和Cu等纳米颗粒作为催化剂,在单晶硅衬底上成功地制备了ZnE(E=S,Se,Te)和CuZn合金一维纳米材料。 1.以NiS纳米晶为催化剂,在700℃下成功地合成了长为25μm,直径大约200nm的Z