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半导体量子点由于具有量子尺寸效应、隧道效应等特性而呈现出与体材料完全不同的光致发光以及电致发光性能；并且应用到如发光二极管、生物标记成像、激光器和单光子源等诸多领域。量子点在环境中往往会导致氧化并且载流子会困在表面，导致光致发光量子效率的减少。通常会在核心周围生长壳层以减少表面缺陷从而提高荧光性能。本论文使用低毒性的十八烯作为合成时的反应溶剂，利用热注射法制备不同性能的量子点，通过在量子点表面包覆壳层、制备合金等系列手段，得到高质量的红光量子点。并以制备出的合金量子点作为发光层制备了QLED，探索了制备QLED的最佳工艺条件。主要内容如下： （1）以CdO和Se作为前驱体，采用热注射法制备高质量红光CdSe量子点。取样20s、40s、1min、2min、3min和5min样品对应的发射峰分别为602nm、628nm、633nm、645nm、657nm和651nm。CdSe量子点生长时间从20s至3min，粒径从3.79nm增大到了5.66nm左右。合成的量子点平均寿命为27.7ns，比传统荧光材料寿命要长。但是CdSe量子点表面存在明显缺陷，需在表面包覆壳层等手段提升其荧光性能。 （2）以CdSe为原料，外加S粉和乙酸锌作为包覆材料，合成了CdSe/ZnS量子点。得到不同取样时间的样品发射峰从642nm红移到了647nm，半高宽为33nm。XRD衍射结果分析表明在CdSe外边包覆了ZnSe壳层，HRTEM表明颗粒近似为球形且分散性良好，粒径为6.98nm左右，同一生长时间包覆前和包覆后量子点红移10nm。吸收光谱中未出现ZnS单独纳米晶体的特征吸收峰，这也说明了ZnS很好的在CdSe核表面进行外延生长。改变Cd/Zn比例的CdSe/ZnS发射光谱出现红移。 （3）以CdO、乙酸锌、Se和S作为前驱体，十八烯和油酸作为溶剂，在高温下注入Se和S前驱体，得到合金性质的CdZnSeS量子点。HRTEM表明颗粒近似为球形且分散性良好，合金量子点生长时间从1min至10min，粒径从5.23nm增大到了7.09nm左右，发射峰波长范围从649nm逐渐红移到了660nm。由不同Cd/Zn比例的XRD图可以清楚地看出，当Cd/Zn比例不断增加，合金成分中ZnSe、ZnS逐渐增多。结合样品发射光谱可和紫外可见吸收光谱可以得到，合金结构量子点发射峰出现红移。 （4）以热注射法合成的CdZnSeS纳米颗粒作为发光层材料，制作ITO/PEDOT/TFB/CdZnSeS 量子点/ZnO/Al 结构的量子点电致发光器件。通过对每层的浓度和转速的调节，并对器件亮度、电流密度、外量子效率（EQE）、电流效率等一系列参数分析找到了器件性能最优各层的最佳浓度与转速。