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电子技术,尤其是电力电子技术的应用及其快速发展使得电力电子线路的电磁干扰(EMI,Electromagnetic Interference)问题日益突出,尤其是采用了高速半导体开关器件,如IGBT,MOSFET等,这些半导体开关产生的高频脉冲信号具有很大的dv/dt,di/dt,形成很强的电磁干扰,其频率可从几kHz直到数十MHz,有可能远远超出EMC标准要求的限值。本文分析了无源元件的高频特性,通过对电阻、电感、电容和导线的高频特性分析,可以看出,实际电阻都具有一定的杂散电感和寄