本文主要研究了典型尺寸的n型金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管在两种常见的直流应力偏置下的退化现象:热载流子退化和自加热退化。具体研究了器件在不同的应力电压和应力时间下的退化现象及退化规律,并提出了器件退化的模型。在热载流子应力条件下,器件的退化主要是由于在漏极附近由热载流子产生的损伤缺陷引起的。我们通过载流子在漏极附加陷阱态势垒的输运模型,解释了器件在应力后出现的阈值电压的退化现象和非对称性开态电流恢复现象。自加热退化与热载流子退化相比,最大的区别在于出现了明显的亚阈值特性的退化。这主要是由于在自加热应力下,整个沟道中都出现了缺陷态的产生,从而使器件的亚阈值摆幅发生了退化。在自加热退化中我们也发现了类似热载流子退化中的非对称性恢复现象,并对其退化特点和模型进行了讨论。我们还对低漏极应力电压下和高漏极应力电压下的自加热退化进行了比较,讨论了两者退化机制的不同。文章还结合近几年国际上对于低温多晶硅薄膜晶体管器件可靠性开展的一些有代表性的研究工作,对一些常见的退化现象进行了综述和比较。