通讯设备正朝着高集成度、高频率、低成本化等方向发展,这对滤波器、谐振器等器件的性能要求日益严苛。而用于制造滤波器等器件的陶瓷材料的性能优劣决定了器件的性能好坏。（1-x）LaAlO₃-xSrTi0₃介质陶瓷兼有高介电常数、低损耗和可调零的谐振频率温度系数。本文将通过X射线衍射、扫描电子显微镜探索材料相结构和微观形貌特征,用Agilent4284A精密LCR测试仪测试样品介电性能,对组分、结构与性能间的关系深入研究,同时掺入烧结助剂,研究LAST陶瓷的低温烧结性能。首先,采用固相法制备了（1-x）LaAlO₃-xSrTi0₃（0≤x≤1）陶瓷,研究了不同摩尔配比的陶瓷的烧结特性、结构和介电性能,同时得到中介低损耗且温度稳定性良好的LAST系介电陶瓷。研究表明:随SrTi0₃含量增加,陶瓷主晶相由三方相变为正交相,再到立方相;介电常数、谐振频率温度系数随SrTi0₃含量增加而增大,损耗与陶瓷相结构转变有直接关系。陶瓷为正交相结构时,有较高的介电常数、低的损耗和近零的温度系数。当x=0.46、0.56,1550℃烧结4小时,试样晶粒发育良好,结构致密,晶界清晰,可获得的介电性能分别为ε_r=35.7,tanδ=3.01×10^-4,τ_f=-14.6×10^-6/℃和ε_r=44.7,tanδ=2.69×10^-4,τ_f=1.17×10^-6/℃。其次,为了实现LAST陶瓷的低成本生产,本文采用助烧剂ZnO、CuO和ZnO-B₂O₃研究0.46LaAlO₃-0.54SrTi0₃陶瓷的低温烧结特性,目前对LAST陶瓷体系的低温烧结研究较少,为确定助烧剂的种类以及添加量,需要一系列的实验研究。在0.46LA0.54ST中添加助烧剂ZnO,CuO和ZnO-B₂O₃,使得陶瓷烧成温度明显降低,烧成范围扩大。低温烧结约束了陶瓷失氧和Ti4+还原,氧空位和缺陷电子数量减少,并减轻由此引起的损耗增加的问题。添加5wt%的ZnO和1wt%的CuO可以实现陶瓷在1430℃烧结,晶界清晰,尺寸均匀,结晶性能优异,介电性能分别为:εr=42.1,tanδ=2×10-4和εr=44.3,tanδ=1.4×10^-3。添加3wt%的ZnO-B₂O₃可在更低的温度1370℃烧成,晶粒尺寸均匀,结晶性能优异,介电性能为:ε_r=38.2,tanδ=4×10-4,并且在1370～1520℃的温度范围内均可获得10-4数量级的tanδ,使材料适应较宽温区烧结。最后本文还用+3价阳离子Bi掺杂SrTi0₃陶瓷,研究了其电荷补偿机制及介电驰豫现象。采用固相反应制备Sr1-xBixTiO3陶瓷,研究了Bi掺杂对SrTi0₃的介电性能、缺陷结构及缺陷偶极子的影响。通过X射线衍射（XRD）分析其物相结构,表明在掺杂浓度范围内均未出现第二相。当Bi掺入量为x=0.01时,陶瓷内部电荷补偿机制为电子补偿机制,形成含弱束缚电子的不稳定缺陷簇[Bi_S^·_r（10）Ti’_Ti]。Bi掺入量增加,电子补偿机制过渡为阳离子空位补偿机制,产生锶空位V_S’_r,在库仑力作用下形成稳定存在的缺陷簇[2Bi^·_Sr（10）V_S’_r]。各组样品满足受热控制的Arrhenius定律描述的弛豫特性。随着Bi掺杂量的增大弛豫激活能提高,弛豫度减小。