高介电常数薄膜的制备及性能研究

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该文采用化学溶液分解法(CSD),以硝酸铋、硝酸镧和钛酸四丁酯为原料制备了掺镧的Bi<,2>Ti<,2>O<,7>薄膜.希望通过掺镧进一步改进Bi<,2>Ti<,2>O<,7>薄膜的质量.研究了退火温度、退火时间和镧掺杂浓度对薄膜结晶、表面形貌和物理性能的影响.采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)法制备了TiO<,2>薄膜,研究了退火温度、退火时间对薄膜结晶性、表面形貌和电学性质的影响.最后对反应离子刻蚀技术刻蚀Bi<,2>Ti<,2>O<,7>和TiO<,2>薄膜的刻蚀速率等问题进行了初步研究.
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